第17回光反応・電子用材料研究会講座 最先端レジストプロセスと材料
趣旨	現在先端の半導体量産には、液浸リソグラフィの開発・適用が進められています。一方、さらに高集積化したデバイスに対しては、液浸リソグラフィの延命、EUVリソグラフィ等が検討されています。またこれらのリソグラフィには新しいコンセプトのレジスト材料が必要となってきます。 　本研究会講座は、最先端レジストプロセスと材料について、専門の先生方からのご講演と議論を通して、最新の技術を把握できるように企画致しました。
主催	高分子学会　光反応･電子用材料研究会
協賛	日本化学会　応用物理学会
開催日	2008年01月23日　10:00〜16:45
開催場所	東京工業大学　西９号館２階　ディジタル多目的ホール 目黒区大岡山2-12-1 Tel：03-5734-3331
交通	東急目黒線・東急大井町線　大岡山駅下車　徒歩1分 http://www.titech.ac.jp/access-and-campusmap/j/o-okayama-campus-j.html
プログラム	I．基調講演 10:00〜11:00　1. 液浸リソグラフィ・プロセスの現状と課題 　　　　　　　　　　　　　　　　（NECエレクトロニクス）内山　貴之 11:00〜12:00　2. ＥＵＶリソグラフィの現状とレジスト技術 　　　　　　　　　　　　　　　　（半導体先端テクノロジーズ）西山　岩男 II．液浸リソグラフィ/レジスト・トップコート 13:00〜13:30　3. 液浸プロセス・欠陥 　　　　　　　　　　　　　　　　（ニコン）中野　勝志 13:30〜14:00　4. 液浸リソグラフィ対応フォトレジスト・topcoatの開発動向 　　　　　　　　　　　　　　　　（JSR）藤原　考一 14:00〜14:30　5. 微細化にむけた液浸用レジストの開発動向 　　　　　　　　　　　　　　　　（東京応化工業）中村　　剛 14:30〜15:00　6. 高NA液浸リソグラフィの現状 　　　　　　　　　　　　　　　　（半導体先端テクノロジーズ）加藤　　毅 III．EUVレジスト/分子レジスト 15:15〜15:45　7. Noriaの分子レジストへの応用 　　　　　　　　　　　　　　　　（神奈川大学）西久保忠臣 15:45〜16:15　8. EUVレジストにおける材料設計 　　　　　　　　　　　　　　　　（富士フィルム）樽谷　晋司 16:15〜16:45　8. 低分子ネガ型レジスト 　　　　　　　　　　　　　　　　（日立製作所）小島　恭子
受付期間	2007年11月01日〜2008年01月22日
参加要領	1) 定員 100名 2) 参加費　企業13,650円、大学・官公庁5,250円、学生･GS　2,100円 　　　　(光反応･電子用材料研究会メンバー　企業10,500円、大学・官公庁4,200円) 3) 申込方法　WEBからお申込後、参加費を1月末日までにご送金ください。 　　　　　　　参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。 4)　振込先 　　　　銀行振込＜三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 （社）高分子学会＞ 　　　　郵便振替＜00110-6-111688　（社）高分子学会＞ 　　　　振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。 ※プログラムは予告なく変更になる場合がございます。予めご了承下さい。