12-1有機エレクトロニクス研究会
電界効果型トランジスタの作製、デバイス物理と展開
趣旨 ※会誌「高分子」に参加費が間違って掲載されておりました。
正しくはこのページに掲載している参加費になります。
ご確認のほど、よろしくお願いいたします。


有機電界効果型トランジスタ(OFET)の移動度がアモルファスシリコンを超える値を示す結果が出て久しくなる。その後、新材料の開発、作製法の検討などにさらに優れた研究成果が報告された。本研究会では、最新のOFETの現状やデバイス物理を俯瞰すると共に、注目すべき酸化物薄膜トランジスタの状況、半導体と化学との接点について、気鋭の先生方をお迎えして紹介する。多数のご参加をお待ちしています。
主催 高分子学会 有機エレクトロニクス研究会
開催日 2012年07月06日 10:30〜16:40
開催場所 化学会館7階ホール
東京都千代田区神田駿河台1-5

Tel:03-3292-6161
交通 http://www.chemistry.or.jp/kaimu/office/map.html
プログラム <10:30−11:10>
1)導電性高分子ナノファイバーの構造形成とFET評価
(農工大工)下村 武史

<11:10−11:50>
2)有機単結晶薄膜のインクジェット印刷
(産総研)峯廻 洋美

<13:00−13:40>
3)高性能高分子半導体の最近の展開
(広島大院工)瀧宮 和男

<13:40−14:20>
4)ハイエンド有機半導体材料とトランジスタデバイス
(阪大産研)竹谷 純一

<14:20−15:00>
5)トップゲート構造塗布型有機電界効果トランジスタ
−高移動度化と動作安定性の向上−
(阪府大院工)永瀬 隆・小林 隆史・内藤 裕義

<15:20−16:00>
6)化学集積回路 -半導体と化学の融合デバイス
(名大工)中里 和郎

<16:00−16:40>
7)アモルファス酸化物TFTが実用化されるまで
(東工大応セラ研)神谷 利夫
受付期間 2012年05月07日〜2012年07月05日
参加要領 1)定員100名 (定員になり次第、締め切らせていただきます。)
2)参加費(税込) @企業 5,250円 A大学・官公庁 3,150円 B学生 2,100円
C名誉・終身・フェロー・ゴールド・シルバー会員 2,100円
D有機エレクトロニクス研究会メンバー 無料
3)申込方法Webでお申込み後、参加費を7月末日までにご送金ください。参加証、請求書(希望者のみ)を順次送付させていただきます。
4)振込先 銀行振込<三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 (社)高分子学会>
     郵便振込<00110-6-111688 (社)高分子学会>
 振込手数料は振込人にてご負担下さいますようお願いいたします。
 銀行・郵便振替の領収書をもって本会からの領収書にかえさせていただきます。

5)その他:演題・講演者は予告なく変更になる場合がございます。予めご了承下さい。

申込先  公益社団法人高分子学会 有機エレクトロニクス研究会係
〒104-0042 東京都中央区入船3-10-9 新富町ビル6F
TEL 03-5540-3771  FAX 03-5540-3737