16-3印刷･情報記録･表示研究会および光反応･電子用材料研究会 ナノインプリントを支える材料技術と、それにより可能となる量産デバイス
趣旨	ナノインプリント技術は、従来の光フォトリソグラフィーの限界を打破する微細パターンが容易に得られることから、ナノスケールの微細構造や３次元構造を形成する手法として基礎的な研究が進められてきました。ここへきて、高スループット、欠陥低減技術が進歩し、量産デバイスに必要な低コスト化も見えてきました。そこで今回は、進歩するナノインプリントを支える材料技術に関する最新の成果と、究極の量産デバイスである半導体メモリへの適応に関する研究会を企画しました。ナノインプリント技術の領域で研究開発を進めておられる第一線の講師の先生方をお招きし、ナノインプリント技術関連国際会議（NNT2016）参加報告も兼ねた最新の成果と今後の課題をご講演いただきます。多くの皆様のご参加をお待ちいたしております。
主催	高分子学会　印刷･情報記録･表示研究会 　　　　　　光反応･電子用材料研究会　 （共催　応用物理学会　ナノインプリント技術研究会）
協賛	日本化学会
開催日	2016年11月28日　12:55〜16:45
開催場所	産業技術総合研究所　臨海副都心センター　別館11階　会議室１ 江東区青海二丁目４番７号4-2-2 Tel：03-3599-8001
交通	新交通ゆりかもめ「船の科学館駅」「テレコムセンター駅」下車徒歩約4分 東京臨海高速鉄道りんかい線「東京テレポート駅」下車徒歩約15分 （http://unit.aist.go.jp/waterfront/　参照）
プログラム	12:55〜13:00　開会挨拶 13:00〜13:40 　1. 国際学会報告(MNE,NNT,MNC) 　　　　　　　　　　　　　　　（阪府大院工）平井　義彦 13:40〜14:20 　2. ナノインプリント用樹脂 　　　　　　　　　　　　　　　（ＨＴＬ）大久保　靖 14:20〜15:00 　3. ＵＶレジストの硬化特性と離型力 　　　　　　　　　　　　　　　（阪府大院工）白井　正充 15:20〜16:00 　4. 凝縮性ガスを利用する低ラフネスの光ナノインプリント技術 　　　　　　　　　　　　　　　（産総研）鈴木　健太 16:00〜16:40 　5. ナノインプリントの半導体デバイス応用の最新状況と展望 　　　　　　　　　　　　　　　（東芝）東木　達彦 16:40〜16:45　閉会挨拶
受付期間	2016年08月19日〜2016年11月25日
参加要領	1) 定員 60名　 2) 参加費 　　企業 3,240円 大学・官公庁 2,160円 学生 1,080円 　　名誉会員・終身会員・フェロー・ゴールド会員・シニア会員 1,080円 　　印刷･情報記録･表示研究会メンバー 無料 　　光反応･電子用材料研究会メンバー 無料 　　応用物理学会ナノインプリント技術研究会会員　　無料 3) 申込方法 　　Webにてお申込の上、参加費を11月末日までにご送金ください。 　　参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。 4)　振込先 　　銀行振込 　　＜三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 公益社団法人　高分子学会＞ 　　郵便振替 　　＜00110-6-111688　公益社団法人　高分子学会＞ 　　※振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。 問合先　　高分子学会　光反応･電子用材料研究会係 　　　　　　〒104-0042　東京都中央区入船3-10-9　新富町ビル6F 　　　　　　電話　03−5540−3771　 ＦＡＸ　03−5540−3737 ※Webでのお申し込みは11月25日(金)午前までとさせていただきます。 　以降は上記宛お問い合わせください。