第19回光反応・電子用材料研究会講座 先端リソグラフィの展望
趣旨	半導体の進歩に必須である加工の微細化は、露光波長の短波長化と高NA化によりこれまで順調に進展してきました。しかし今後の更なる微細化においては、露光技術はもとより、要求条件を満たすレジスト材料のプラットフォームも多様化する状況にあります。そこで講座では、材料開発の基本に立ち戻り、将来のリソグラフィ技術に向けた材料見通しとその特性について、各分野の専門の先生方による講演会を企画しました。
主催	高分子学会　光反応･電子用材料研究会
協賛	日本化学会　応用物理学会
開催日	2010年01月20日　10:00〜16:50
開催場所	東京理科大学　森戸記念館　地下１階　第一フォーラム 新宿区神楽坂4-2-2 Tel：03-5225-1033
交通	JR総武線、地下鉄有楽町線、東西線、南北線飯田橋駅下車　徒歩10分　 　都営地下鉄　牛込神楽坂駅　徒歩10分
プログラム	10:00〜10:10　開会挨拶 10:10〜11:00 1.　【基調講演】先端リソグラフィー用電子材料の展望： 　　　　　　　　　　　　−高分子レジストから分子レジストへ− 　　　　　　　　　　　　　　（神奈川大学工学部）西久保忠臣 11:00〜11:50 2.　リソグラフィ技術の現状と将来展望 　　　　　　　　　　　　　　（東芝　セミコンダクター社）井上　壮一 13:00〜13:50 3.　EUVレジストの開発状況 　　　　　　　　　　　　　　（半導体先端テクノロジーズ）老泉　博明 13:50〜14:40 4.　EUVレジスト材料開発の現状と将来展望について 　　　　　　　　　　　　　　（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所）渡邊　健夫 15:00〜15:50 5.　ナノインプリントの材料とプロセス 　　　　　　　　　　　　　　（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所）松井　真二 15:50〜16:40 6.　ブロック共重合体によるDirected Self-Assemblyと 　　　　　　　　　　　　リソグラフィ材料への展開 　　　　　　　　　　　　　　（東京工業大学理工学研究科）早川　晃鏡 16:40〜16:50 閉会挨拶
受付期間	2009年10月01日〜2010年01月19日
参加要領	1) 定員 100名 2) 参加費　企業　13,650円、大学・官公庁　5,250円、学生　2,100円 　　　　名誉会員・終身会員・フェロー・ゴールド会員・シルバー会員　2,100円 　　　　(光反応･電子用材料研究会メンバー　企業10,500円、大学・官公庁4,200円) 3) 申込方法　WEBからお申込後、参加費を1月末日までにご送金ください。 　　　　　　　参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。 4)　振込先 　　　　銀行振込＜三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 （社）高分子学会＞ 　　　　郵便振替＜00110-6-111688　（社）高分子学会＞ 　　　　振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。 ※プログラムは予告なく変更になる場合がございます。予めご了承下さい。