10-1光反応･電子用材料研究会 ブロックコポリマーを用いた自己組織化リソグラフィー
趣旨	電子デバイスの高集積化は近年の光リソグラフィーの発展に多くを負っています。しかし、トップダウンによる微細加工は20nm以下の加工寸法になると技術的にも高い壁に当たると予想されています。さらに、加工寸法が小さくなるほど、非常に高価な装置と材料を用いなければならず、コストの増大が大きな負担になっています。このため、ボトムアップ的な自己組織化を利用した加工法が注目されるようになっています。特に、ブロックコポリマーの自己組織化構造を利用したリソグラフィーは、工場の設備がそのまま使えるなど、これまでのリソグラフィー技術と相性が良いため注目されています。他方、パターンの制御性に問題がありましたが、近年、トップダウンによる制御性とボトムアップによる微細化をうまく組み合わせた、Directed Self-Assemblyが提唱され、電子デバイス側からも注目されるようになりました。今回は第一線で活躍されている講師の先生方をお招きして、「ブロックコポリマーを用いたリソグラフィー」に関する研究会を企画いたしました。多くの方のご来聴をお待ちいたしております。
主催	高分子学会　光反応･電子用材料研究会
協賛	日本化学会　応用物理学会
開催日	2010年06月22日　13:00〜16:50
開催場所	東京理科大学　森戸記念館　地下１階　第一フォーラム 新宿区神楽坂4-2-2 Tel：03-5225-1033
交通	JR総武線、地下鉄有楽町線、東西線、南北線飯田橋駅下車　徒歩10分 都営地下鉄　牛込神楽坂駅　徒歩10分 　　　　　（http://www.tus.ac.jp/info/access/kagcamp.html　参照）
プログラム	13:00〜13:50 1．Directed assembly of block copolymers on chemically nanopatterned surfaces 　　　　　　　　　　　　（University of Wisconsin）Paul F. Nealey 13:55〜14:45 2．Control of the microdomain structure in block copolymer thin films for defect-free nano-patterning 　　　　　　　　　　　　（京都大学工学研究科）竹中　幹人 15:05〜15:55 3．Integrating block copolymer directed self-assembly with conventional lithography 　　　　　　　　　　　　（IBM Almaden Research Center）Daniel P. Sanders 16:00〜16:50 4．16nm技術ノードに向けたブロック共重合体リソグラフィ 　　　　　　　　　　　　（ＮＴＴ物性科学基礎研究所）山口　徹
受付期間	2010年04月01日〜2010年06月22日
参加要領	1) 定員 60名　 2) 参加費 　　企業 3,150円 大学・官公庁 2,100円 学生 1,050円 　　名誉会員・終身会員・フェロー・ゴールド会員・シルバー会員 1,050円 　　光反応･電子用材料研究会メンバー 無料 3) 申込方法 　　Webにて申込後、参加費を6月末日までにご送金ください。 　　参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。 4)　振込先 　　銀行振込＜三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 （社）高分子学会＞ 　　郵便振替＜00110-6-111688　（社）高分子学会＞ 　　※振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。 問合先　　（社）高分子学会　光反応･電子用材料研究会係 　　　　　　〒104-0042　東京都中央区入船3-10-9　新富町ビル6F 　　　　　　電話　03−5540−3771　 ＦＡＸ　03−5540−3737 ※Webでのお申し込みは6月21日(月)午前までとさせていただきます。 　以降は上記宛お問い合わせください。