11-1光反応･電子用材料研究会 最先端リソグラフィー国際シンポジウム
趣旨	近年電子デバイスの高集積化に伴い、光リソグラフィーによる微細加工寸法も微細化が進められています。近年では液浸等の技術を駆使して現状の解像度の延命化を図るなど懸命な研究が進められていましたが、Mooreの法則に従って更なる微細化を実現するには決め手となる革新的技術が不在であり、深刻な危機感がありました。最近、EUV光源が実用化される見通しが高まり、EUVリソグラフィー技術全体を緊急に総括する必要があります。そこで、微細加工技術で最先端を切り開き世界的に注目されている海外の講師を招き、緊急に最先端リソグラフィーについて現状と展望を討論するための国際シンポジウムを企画しました。多くの方のご来聴をお待ちいたしております。
主催	高分子学会　光反応･電子用材料研究会
協賛	日本化学会　応用物理学会
開催日	2011年06月21日　13:00～15:55
開催場所	東京理科大学　森戸記念館　地下１階　第一フォーラム 新宿区神楽坂4-2-2 Tel：03-5225-1033
交通	JR総武線、地下鉄有楽町線、東西線、南北線飯田橋駅下車　徒歩10分 都営地下鉄　牛込神楽坂駅　徒歩10分 　　　　　（http://www.tus.ac.jp/info/access/kagcamp.html　参照）
プログラム	13:00～13:50 1．Enabling EUV resist; where we are now what comes next? 　　　　（Sematech）Warren Montgomery 13:55～14:45 2．Can We Push Chemical Amplification to 11nm node? 　　　　（Dow Electronic Materials）Jim Thackeray 15:05～15:55 3．Materials Development for Advanced Patterning 　　　　（AZ Electronic Materials USA）Munirathna　Padmanaban
受付期間	2011年04月01日～2011年06月20日
参加要領	1) 定員 60名　 2) 参加費 　　企業 3,150円 大学・官公庁 2,100円 学生 1,050円 　　名誉会員・終身会員・フェロー・ゴールド会員・シルバー会員 1,050円 　　光反応･電子用材料研究会メンバー 無料 3) 申込方法 　　Webにて申込後、参加費を6月末日までにご送金ください。 　　参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。 4)　振込先 　　銀行振込＜三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 （社）高分子学会＞ 　　郵便振替＜00110-6-111688　（社）高分子学会＞ 　　※振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。 問合先　　（社）高分子学会　光反応･電子用材料研究会係 　　　　　　〒104-0042　東京都中央区入船3-10-9　新富町ビル6F 　　　　　　電話　03－5540－3771　 ＦＡＸ　03－5540－3737 ※Webでのお申し込みは6月20日(月)午前までとさせていただきます。 　以降は上記宛お問い合わせください。