第21回光反応・電子用材料研究会講座 次世代パターン形成技術展望
趣旨	パターン微細化は、半導体の進歩を主な目的として、露光波長の短波長化と高NA化により進展してきました。このトップダウンリソグラフィーの次世代を担うEUVリソグラフィーは、実用化に向けた詰めの段階にあります。また一方、トップダウンの限界を打破する、もしくは、半導体微細加工以外の用途を見据えた、ボトムアップパターン形成技術が精力的に検討されています。そこで本講座では、トップダウン、および、ボトムアップの両リソグラフィー技術について、最新の研究状況を各分野の専門の先生方のご講演を通して、次世代への展望に結びつけることが出来たらと考えます。 前日(1月18日)には、「第5回リソグラフィー入門実践講座」とー題して、入門リソグラフィー講座を開催します。レジスト材料、リソグラフィープロセスの基礎的知識・技術を身に付けたい方は、あわせてご参加ください。
主催	高分子学会　光反応･電子用材料研究会
協賛	日本化学会　応用物理学会
開催日	2012年01月19日　10:00〜16:50
開催場所	東京理科大学　森戸記念館　地下１階　第一フォーラム 新宿区神楽坂4-2-2 Tel：03-5225-1033
交通	JR総武線、地下鉄有楽町線、東西線、南北線飯田橋駅下車　徒歩10分 都営地下鉄　牛込神楽坂駅　徒歩10分 （http://www.tus.ac.jp/info/access/kagcamp.html　参照）
プログラム	10:00〜10:10　開会挨拶 10:10〜11:00 1.　EUVレジスト材料の現状 　　　　　　　　　　　　　　（EUVL基盤開発セ）杉江　紀彦 11:00〜11:50 2.　ナノインプリントリソグラフィにおける界面機能分子制御 　　　　　　　　　　　　　　（東北大多元研）中川　　勝 13:00〜13:50 3.　単分子膜リソグラフィー 　　　　　　　　　　　　　　（京大院工）杉村　博之 13:50〜14:40 4.　高分子ブロック共重合体のDirected Self-assembly 　　　　　　　　　　　　　　（日立）吉田　博史 15:00〜15:50 5.　ミクロ相分離膜の構造形成機構とナノテンプレート機能 　　　　　　　　　　　　　　（東工大資源研）小村　元憲 15:50〜16:40 6.　先端リソグラフィーのアプリケーション展開 　　　　　　　　　　　　　　（東芝）浅川　鋼児 16:40〜16:50 閉会挨拶
受付期間	2011年10月10日〜2012年01月17日
参加要領	1) 定員 80名 2) 参加費　企業　13,650円、大学・官公庁　5,250円、学生　2,100円 　　　　名誉会員・終身会員・フェロー・ゴールド会員・シルバー会員　2,100円 　　　　(光反応･電子用材料研究会メンバー　企業10,500円、大学・官公庁4,200円) 3) 申込方法　WEBからお申込後、参加費を1月末日までにご送金ください。 　　　　　　　参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。 4)　振込先 　　　　銀行振込＜三菱東京UFJ銀行 銀座支店 (普通) 1126232 （社）高分子学会＞ 　　　　郵便振替＜00110-6-111688　（社）高分子学会＞ 　　　　振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。 ※プログラムは予告なく変更になる場合がございます。予めご了承下さい。