13-1光反応･電子用材料研究会 DSAと先端リソグラフィ国際シンポジウム
趣旨	半導体デバイスの微細化の要求に従い、リソグラフィの王道であるEUV等の短波長化技術の開発が急がれています。一方、従来よりも安価で簡便な方法として自己組織化（Directed Self-Assembly: DSA）によるリソグラフィ技術も大いに期待されており、開発が急速に進められています。今回は世界の第一線でご活躍されている講師の先生方をお招きして、これらの最新の技術について講演いただき、議論できるような研究会を企画致しました。
主催	高分子学会　光反応･電子用材料研究会
協賛	日本化学会　応用物理学会
開催日	2013年06月25日　13:00〜16:25
開催場所	東京理科大学　森戸記念館　B1F 第一フォーラム 新宿区神楽坂4-2-2 Tel：03-5225-1033
交通	JR総武線、地下鉄有楽町線、東西線、南北線飯田橋駅下車　徒歩10分 都営地下鉄　牛込神楽坂駅　徒歩10分 　　　　　（http://www.tus.ac.jp/info/access/kagcamp.html　参照）
プログラム	13:00〜13:50 1．Molecular Weight Resists for Lithography 　　　　（Univ. Birmingham）Alex Robinson 13:50〜14:40 2．Block Copolymer Orientation Control Using a Top-Coat Surface Treatment 　　　　（Univ. Texas）Takehiro Seshimo 14:55〜15:45 3．Thermodynamics and Ｋinetics of Block Copolymer Assembly on Chemically Patterned Surfaces 　　　　（Univ. Chicago）Paul Nealey 15:45〜16:35 4．Material Influences on Process Performance in Chemo-Epitaxy Directed Self-Assembly Integratio 　　　　（IMEC）Roel Gronheid
受付期間	2013年03月15日〜2013年06月24日
参加要領	1) 定員 60名　 2) 参加費 　　企業 5,250円 大学・官公庁 3,150円 学生 1,050円 　　名誉会員・終身会員・フェロー・ゴールド会員・シニア会員 1,050円 　　光反応･電子用材料研究会メンバー 無料 3) 申込方法 　　Webにて申込後、参加費を6月末日までにご送金ください。 　　参加証、請求書（希望者のみ）を順次配布いたします。 4)　振込先 　　銀行振込<三菱東京UFJ銀行 銀座支店(普通) 1126232 社団法人 高分子学会> 　　郵便振替<00110-6-111688　社団法人 高分子学会> 　　※振込手数料は振込人にてご負担くださいますようお願いいたします。 問合先　　高分子学会　光反応･電子用材料研究会係 　　　　　　〒104-0042　東京都中央区入船3-10-9　新富町ビル6F 　　　　　　電話　03−5540−3771　 ＦＡＸ　03−5540−3737 ※Webでのお申し込みは6月24日(月)午前までとさせていただきます。 　以降は上記宛お問い合わせください。