| 高分子 Vol.60 No.3 |
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特集 半導体を極める高分子
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| 展望 COVER STORY: Highlight Reviews |
| マイクロリソグラフィー用フォトレジスト Photoresists for Microlithography |
上田 充 Mitsuru UEDA |
| ＜要旨＞ マイクロリソグラフィー用フォトレジストはデバイスの微細加工で大きな役割を果たしている。半導体集積回路の高集積化を支えるために，より微細化を可能にする露光機の開発とともに多くの革新的なアイデアを基に解像度の高いレジストが開発されてきた。本稿では，このレジストの変遷，現状，そして今後の研究動向について紹介する。 Keywords: Photoresist / Microlithography / Chemical Amplification Resist / KrF Resist / ArF Resist / Photoacid Generator / EUV Resist / UV Imprint / Block Copolymer Lithography |
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| EUVレジスト材料の開発 Development of Extreme Ultraviolet Resist Materials |
工藤 宏人・西久保 忠臣 Hiroto KUDO and Tadatomi NISHIKUBO |
| ＜要旨＞ 極端紫外（EUV）線露光によるレジストパターンは，22
nm以下の解像性が求められている。レジストの感度，パターンの解像度，およびラフネスの三者はトレードオフの関係として大きな問題となっている。この問題を解決するべく，カリックスアレーン，低分子量フェノール樹脂，フラーレンおよびノーリアを基盤としたさまざまな分子レジスト材料の開発が検討されている。 Keywords: Electron Beam / Extreme Ultraviolet / Resist / Chemical Amplification / Molecular Resist / Roughness / Sensitivity / Resolution |
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| 高分子ブロック共重合体のDirected Self-Assemblyとリソグラフィーへの展開 Directed Self-Assembly of Block Copolymers for Lithographic Applications |
吉田 博史 Hiroshi YOSHIDA |
| ＜要旨＞ トップダウン的リソグラフィー技術の限界を打破する手段として，自己組織化現象を応用した加工プロセスが注目を集めている。ここでは，高分子ブロック共重合体のミクロ相分離を既存のリソグラフィー技術と融合することにより制御し，10
nm級のパターニングを実現する試みについて概説する。 Keywords: Block Copolymer / Directed Self-Assembly / Lithography / Graphoepitaxy / Chemical Registration |
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| 光ナノインプリント UV Nanoimprint |
廣島 洋 Hiroshi HIROSHIMA |
| ＜要旨＞ 光ナノインプリントはナノメータレベルのパターンを容易に形成できることから，半導体などへの新しいリソグラフィー手法として検討されている。光ナノインプリントを量産プロセスに適用するうえでの課題は光硬化樹脂の充填の不完全性や遅さであるが，この問題は雰囲気としてペンタフルオロプロパンを利用することで劇的に改善可能である。 Keywords: UV Nanoimprint / Nanoimprint Lithography / Pentafluoropropane / Bubble Defect / Throughput |
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| トピックス COVER STORY:Topics and Products |
| ArF液浸レジスト Resist Materials for ArF Immersion Lithography |
野崎 耕司 Koji NOZAKI |
| ＜要旨＞ ArF immersion
lithography paved the way to realize the present state-of-the-art semiconductor
micro-fabrication technology for mass production of LSIs of 45-nm technology
node and beyond. Phase separation in a polymer blend has been applying
to give water repellent property for ArF immersion resist materials. Keywords: Immersion Lithography / Resist / Phase Separation / Water Repellent |
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| マスクブランクスから次世代HDD作製技術へ Progress of Mask-Blanks and Nanoimprint Mold Development for Hard Disk Drive Application |
渡邊 強・流川 治 Tsuyoshi WATANABE and Osamu NAGAREKAWA |
| ＜要旨＞ Nanoimprint technology
has appeared in International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)
in 1996 and is one of promising candidates for 22-nm half-pitch or below
at present. This technology is also available to fabricating hard disk
drive (HDD) media with an increased recording density. The fabrication
technology for HDD media is required five years earlier than that for
semiconductors. In this article, HOYA’s recent development and progress
of nanoimprint mold for HDD application is described. Keywords: Nanoimprint Mold / Photo-Mask Blanks / ITRS / Resist / HDD / DTM / BPM |
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| ナノインプリントリソグラフィー用蛍光レジスト Fluorescent Resist Materials for Nanoimprint Lithography |
中川 勝 Masaru NAKAGAWA |
| ＜要旨＞ UV-curable
resins and thermoplastic polymers doped with a fluorescent dye were useful
for checking uniformity of residual layer thickness, detecting resist
pattern defect, and monitoring resin adhesion to a mold surface in nanoimprinting.
The facile and nondestructive inspection method by fluorescent microscopy
is described. Keywords: UV Nanoimprint Lithography / Thermal Nanoimprint Lithography / Fluorescent Resist / Pattern Inspection / Defect Detection / Residual Layer Thickness / Resin Adhesion / Fluorescent Microscopy |
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| 電子線レジスト Electron Beam Resists |
上野 巧 Takumi UENO |
| ＜要旨＞ Electron
beam resists have been widely used for photo-mask fabrication, since
the electron beam has an advantage in pattern fabrication capability.
To improve the sensitivity, the chemical amplification system has been
applied for the electron beam resists. Molecular resists combined with
chemical amplification have been also proposed for improvement in LER
(Line Edge Roughness) and resolution. Keywords: Main Chain Scission / Crosslinking / Chemical Amplification / Molecular Resists |
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| EUVレジスト開発における最近のトピック Recent Topics in Resist Development Used for Extreme Ultraviolet Lithography |
古澤 孝弘 Takahiro KOZAWA |
| ＜要旨＞ The development
of extreme ultraviolet (EUV) lithography is steadily progressing toward
the insertion of 22 nm pilot lines in 2011. However, EUV lithography
has already demonstrated its resolution capability down to 11 nm. Considering
the nodes after 22 nm, LER is still a serious problem. The reduction
of LER requires continuous effort. Keywords: EUV Lithography / Resolution / Sensitivity / Line Edge Roughness |
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| 高分子科学最近の進歩 Front-Line Polymer Science |
| 非溶媒界面における高分子の凝集状態と熱運動特性 Polymer Structure and Physical Properties at Non-Solvent Interfaces |
田中 敬二・藤井 義久 Keiji TANAKA and Yoshihisa FUJII |
| ＜要旨＞ Interfaces of
polymers with “non-solvents” play an important role in their functional
properties such as wettability, friction with lubricants, cell adhesion,
and biocompatibility. To design and construct highly functionalized polymers
for applications that exploit these characteristics, aggregation states
of the polymers at the liquid interfaces must be understood as the first
benchmark. However, this is experimentally difficult because such interfaces
are buried. In this review, we introduce recent development of the issue
with the advent of modern experimental techniques. Keywords: Liquid Interfaces / Molecular Motion / Aggregation Structure |
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