| 고분자 Vol.60 No.3 |
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특집
반도체를 향상시키는 고분자 |
| 반도체를 향상시키는 고분자 |
| 마이크로 리소그래피용 포토레지스터 | 우에다 미츠루 |
| <Abstract> 마이크로 리소그래피용 포토레지스터는 기기의 미세가공에서 중요한 역할을 해왔다. 반도체 집적회로의 고집적화를 유지해 나가기 위해서 보다 미세화를 가능하게 하는 노광기의 개발과 함께 다양한 혁신적인 아이디어를 바탕으로 고해상도의 레지스터가 개발되었다. 본 원고에서는 레지스터의 변천, 현황 그리고 향후의 연구동향을 소개한다. |
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| 극자외선(EUV) 레지스터 재료의 개발 | 구도 히로토, 니시쿠보 타다토미 |
| <Abstract> 극자외선(EUV)의 노광에 의한 레지스터의 패턴은 22 nm 이하의 해상도가 요구된다. 레지스터의 감도, 패턴의 해상도 및 조도(roughness)의 세 가지 요소는 상호 간의 관련을 맺고 균형(trade-off)을 이루고 있다는 문제점을 갖고 있다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해서는, 칼릭스아렌, 저분자량 페놀수지, 풀러렌 및 노리아를 기반으로 한 다양한 분자 레지스터 재료의 개발이 검토되고 있다. |
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| 고분자 블록 공중합체의 자기 조립화 및 리소그래피에서의 응용 | 요시다 히로시 |
| <Abstract> 톱다운 방식의 리소그래피 기술의 한계를 뛰어넘기 위해서, 자기조립화 현상을 응용한 가공 공정이 주목을 모으고 있다. 본 원고에서는 고분자 블록 공중합체의 마이크로 상분리를 기존의 리소그래피 기술에 응용함으로써, 10 nm 급의 패턴화를 실현하기 위한 연구를 소개한다. |
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| 광 나노 임프린트 | 히로시마 히로시 |
| <Abstract> 광 나노 임프린트는 나노미터 수준의 패턴을 용이하게 형성할 수 있기 때문에 반도체 제조 등을 위한 새로운 리소그래피 기술로서 검토되었다. 광 나노 임프린트를 양산 과정에 적용하는 데 있어서 해결해야 할 과제로는 광경화수지의 충전의 불완전성 및 느린 공정 속도 등을 들 수 있다. 이와 같은 문제는 펜타플루오로프로판을 사용함으로써 극적으로 개선할 수 있다. |
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| 토픽 |
| ArF 액침레지스터 | 노자키 고지 |
| <Abstract> ArF 액침 리소그래피는 45 nm 대규모 집적회로의 대량생산을 위한 최첨단의 반도체 마이크로 제조기술을 실현하는 데 중요한 역할을 하였다. 고분자 블렌드에서의 상분리 현상은 ArF 액침레지스터 재료에 발수성을 부여하기 위해서 응용되었다. |
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| 차세대 HDD 제작기술을 위한 마스크블랭크스 및 나노 임프린트의 진보 | 와타나베 츠요시, 나가레카와 오사무 |
| <Abstract> 나노 임프린트 기술은 1996년 국제 반도체기술 로드맵(ITRS)에서 소개된 이후로, 현재 half-pitch 22 nm 이하의 반도체를 실현하게 할 유망기술로서 자리매김하고 있다. 나노 임프린트 기술은 또한 높은 기록밀도를 갖는 HDD를 제조하는 데 이용될 수 있다. HDD의 제조기술은 반도체의 제조기술보다 약 5년 정도 앞서 개발이 되어야 한다. 본 원고에서는 HOYA의 최신 발전현황과 HDD에의 응용을 위한 나노 임프린트 주형의 기술적인 진전을 소개한다. |
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| 나노 임프린트 리소그래피용 형광 레지스터 | 나카가와 마사루 |
| <Abstract> 형광 염료가 주입된 자외선 경화성 수지와 열가소성 고분자는 잔존층 두께의 균일성 확인, 레지스터 패턴 결함의 탐지 및 나노 임프린팅 주형 표면에 고분자 수지가 부착한 정도의 확인 등에 유용하다. 본 원고에서는 형광 현미경을 이용한 간편하면서 비파괴적인 조사 방법을 소개한다. |
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| 전자선 레지스터 | 우에노 타쿠미 |
| <Abstract> 전자빔은 패턴을 형성하는 데에 유용하기 때문에, 전자빔 레지스터는 광마스크의 제조를 위해서 널리 이용됐다. 감도를 향상시키기 위해서, 화학증폭 시스템은 전자빔 레지스터의 제조에 이용되었다. 화학증폭과 관련된 분자 레지스터들은 LER(Line Edge Roughness)과 해상도의 향상시키기 위해서 제안되어왔다. |
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| 극자외선 레지스터 개발과 관련된 최신 토픽 | 고자와 다카히로 |
| <Abstract> 2011년 극자외선 리소그래피 기술의 발전은 22 nm 도입을 위한 파일럿 라인을 향해서 점진적으로 진보하고 있다. 그러나 극자외선 리소그래피는 이미 해상도에 관한한 11 nm 수준까지 실현하였다. 22 nm 이후의 node를 고려할 때, LER(Line Edge Roughness)은 여전히 향상이 필요하다. LER을 줄이기 위해서는 끊임없는 기술개발이 요구된다. |
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| 고분자과학의 최전선 |
| 비용매계면에서의 고분자의 응집상태와 열운동 특성 | 다나카 게이지, 후지이 요시히사 |
| <Abstract> 비용매상태 고분자의 계면은 습윤성, 윤활제의 마찰성, 세포 접합 및 생체적합성과 같은 다양한 성능과 관련하여 중요한 역할을 한다. 이와 같은 다양한 성질을 갖는 기능성 고분자를 설계하기 위해서는, 액상 계면에서의 고분자의 응집상태에 대한 이해가 필요하다. 그러나 이와 같은 계면은 고분자의 내부에 존재하기 때문에 실험적으로 이해하기가 매우 어렵다. 본 원고에서는 비용매상태 고분자의 계면 특성의 연구와 관련된 최신 실험기술과 같은 최근의 발전현황을 소개한다. |
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