고분자 Vol.60 No.3
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특집
반도체를 향상시키는 고분자
반도체의 고집적화와 고속화의 진보는 이른바 반도체 집적회로의 성능이 2년마다 2배 증가한다고 하는 무어의 법칙에 따라서 달성됐다. 이와 같은 반도체의 발전은 실리콘 트랜지스터 설계의 진보 및 요구되는 성능을 실현하기 위해서 개발된 신규 고분자 재료가 중요한 역할을 하였다. 이번 특집호에서는 차세대 반도체 기기의 제작에 이바지할 것으로 기대되는 고분자 재료를 중심으로 관련 기술을 소개한다.
(Editors: 미코시바, 세키, 나카가와, 바차)
최신 연구결과
115

특집에 부쳐
고분자재료 혁신에 대한 기대 와타나베 히사츠네
117

전망
마이크로 리소그래피용 포토레지스터 우에다 미츠루

118

극자외선(EUV) 레지스터 재료의 개발 구도 히로토, 니시쿠보 타다토미

122

고분자 블록 공중합체의 자기 조립화 및 리소그래피에서의 응용 요시다 히로시

126

광 나노 임프린트 히로시마 히로시

130


고분자 용어
134

토픽
ArF 액침레지스터 노자키 고지

135

차세대 HDD 제작기술을 위한 마스크블랭크스 및 나노 임프린트의 진보 와타나베 츠요시, 나가레카와 오사무

137

나노 임프린트 리소그래피용 형광 레지스터 나카가와 마사루

139

전자선 레지스터 우에노 타쿠미

141

극자외선 레지스터 개발과 관련된 최신 토픽 고자와 다카히로

143


성장하는 고분자
학회를 즐기자! 아키히로 키시무라

145

‘인맥’ 속에 있는 연구의 ‘광맥’ 구로이와 게이타

146


고분자과학의 최전선
비용매계면에서의 고분자의 응집상태와 열운동 특성 다나카 게이지, 후지이 요시히사
148

Messages from SPSJ
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